Une nouvelle percée dans les transistors 2D permettrait aux processeurs de devenir plus minces.
La technologie des appareils électroniques tels que les ordinateurs et les smartphones est de plus en plus fine. Un des enjeux de ces appareils plus fins et plus petits à l’avenir est de réduire la taille des composants internes et du matériel.
Le MIT a annoncé une nouvelle percée qui pourrait permettre la fabrication de transistors en 2D pour des composants de micro-puces plus petits. Selon les chercheurs du projet, cette percée pourrait aider à poursuivre les progrès sur le marché des micropuces, permettant à la loi de Moore de se perpétuer.
Conformément à la loi de Moore, le nombre de transistors intégrés dans une micropuce peut doubler tous les deux ans, mais des limites physiques commencent à ralentir cette progression. Des chercheurs du MIT explorent l’utilisation de matériaux atomiquement fins à la place du silicium pour fabriquer des transistors. L’un des principaux défis posés par l’utilisation de matériaux 2D est la difficulté de les connecter à l’électronique conventionnelle.
Plusieurs chercheurs du MIT, de l’université de Californie à Berkeley et de la Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, ainsi que d’autres, ont trouvé un moyen de réaliser les connexions électriques nécessaires. Cette percée pourrait aider à commercialiser le potentiel des matériaux 2D et à améliorer la miniaturisation des composants, prolongeant ainsi la loi de Moore dans un avenir proche.
En effet, les chercheurs ont résolu l’un des plus gros problèmes de la miniaturisation des dispositifs à semi-conducteurs, à savoir la résistance de contact entre une électrode métallique et un matériau semi-conducteur monocouche. Selon un chercheur, la solution au problème était relativement simple et nécessitait un élément semi-métallique appelé bismuth pour remplacer les métaux ordinaires afin de se connecter au matériau monocouche.
On considérait les matériaux monocouches ultraminces, comme le disulfure de molybdène, comme une possibilité de contourner les limites de miniaturisation auxquelles est confrontée la technologie des transistors à base de silicium. Le challenge était de créer une interface hautement conductrice entre les matériaux et les conducteurs métalliques pour les connecter.
Le rythme rapide de la miniaturisation des transistors s’est arrêté aux alentours de l’an 2000, mais un nouveau développement a brisé cette barrière en 2007. Cependant, les chercheurs pensent que nous sommes sur le point de rencontrer un autre goulot d’étranglement, mais cette nouvelle percée pourrait aider à le franchir.
