IBM et Samsung lancent bientôt de nouveaux téléphones dotés de batteries de grande autonomie
Bien que la plupart des gens aient besoin de recharger leur smartphone tous les jours ou tous les deux jours, une nouvelle avancée scientifique réalisée par des chercheurs d’IBM et de Samsung pourrait changer la donne.
Ces deux sociétés se sont associées pour mettre au point un semi-conducteur révolutionnaire appelé VTFET (Vertical-Transport Nanosheet Field Effect Transistor), une nouvelle architecture de puce qui, comparée à la technologie finFET plus conventionnelle, pourrait réduire la consommation d’énergie de 85 % ou doubler les performances.
Selon les chercheurs d’IBM, la plupart des puces modernes sont basées sur une architecture de transistors à effet de champ (FET) à transport latéral, dont un exemple est le transistor à effet de champ fin (finFET).
Ce dernier modèle implique la pose de transistors sur la surface d’une tranche, alors que le nouveau modèle révolutionnaire VTFET fonctionne en disposant les transistors en couches perpendiculaires à la tranche.
Comme l’explique la société, il en résulte un flux de courant vertical qui permet de contourner certaines limitations existantes, du moins en ce qui concerne la taille des contacts et la longueur de la grille du transistor.
L’optimisation est donc possible, soit en réduisant la quantité d’énergie utilisée, soit en augmentant le niveau de performance.
Cette avancée est significative et, selon IBM, elle présente un potentiel de “mise à l’échelle au-delà de la nanofeuille”. Les deux sociétés expliquent que cette innovation technologique pourrait déboucher sur des batteries de smartphones qui fonctionneraient pendant une semaine entière avant de devoir être rechargées.
En outre, cette technologie pourrait également réduire la quantité d’énergie utilisée pour extraire des crypto-monnaies, ce qui pourrait contribuer à résoudre les problèmes majeurs de changement climatique associés à la monnaie numérique basée sur la blockchain.
Le secteur de l’internet des objets (IoT) pourrait également être révolutionné par cette avancée, les chercheurs notant que la réduction de la demande d’énergie pourrait permettre aux appareils intelligents tels que les capteurs connectés de fonctionner “dans des environnements plus variés”.
Ces deux sociétés soulignent que la conception du courant ascendant et descendant pourrait prolonger ce que l’on appelle la loi de Moore, en référence à l’observation de Gordon Moore, il y a des décennies, selon laquelle le nombre de transistors d’un circuit intégré doublera tous les deux ans.
Cette idée, explique IBM, a atteint ses limites car les puces présentent des limites de taille physique dans lesquelles les fabricants tentent “d’emballer plus de transistors”.
La société IBM a travaillé d’arrache-pied pour répondre à ces besoins croissants en matière d’énergie et de performances.
En mai dernier, la société a présenté sa percée technologique en 2 nm, qui permet de placer 50 milliards de transistors sur une puce de la taille d’un ongle.
Cette percée présente à elle seule des changements potentiellement importants en aval, notamment l’allongement de l’autonomie des batteries de téléphone à environ quatre jours, l’amélioration des performances des ordinateurs portables et la réduction de l’empreinte carbone des centres de données grâce à la diminution de la consommation d’énergie.
La nouvelle percée conjointe d’IBM et de Samsung en matière de conception VTFET s’appuie sur ces travaux, IBM notant que la disposition verticale “se concentre sur une toute nouvelle dimension.”
Credit images : IBM
